❶ 單晶爐的操作流程
利用區熔單晶爐進行以下操作：1.清爐、裝爐；2.抽空、充氣、預熱；3.化料、引晶；4.生長細頸；5.擴肩及氮氣的充入；6. 轉肩、保持及夾持器釋放；7.收尾、停爐
清爐、裝爐：清洗整個爐室內壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然後將其安裝到上軸末端，進行多晶料的對中；將籽晶裝入籽晶夾頭上，然後將其安裝到下軸頂端；關閉各個爐門，擰緊各緊固螺栓； (2)抽空、充氣，預熱：打開真空泵及抽氣管道閥門，對爐室進行抽真空，真空度達到所要求值時，關閉抽氣管道閥門及真空泵，向爐膛內快速充入氬氣；當充氣壓力達到相對壓力 1bar-6bar時，停止快速充氣，改用慢速充氣，同時打開排氣閥門進行流氬；充氣完畢後，對多晶硅棒料進行預熱，預熱使用石墨預熱環，使用電流檔，預熱設定點25-40％，預熱時間為10-20分鍾； (3)化料、引晶：預熱結束後，進行化料，化料時轉入電壓檔，發生器設定點在40-60％；多晶料熔化後，將籽晶與熔硅進行熔接，熔接後對熔區進行整形，引晶； (4)生長細頸：引晶結束後，進行細頸的生長，細頸的直徑在2-6mm，長度在30-60mm； (5)擴肩及氮氣的充入：細頸生長結束後，進行擴肩，緩慢減少下速至3±2mm/min，同時隨著擴肩直徑的增大不斷減少下轉至8±4rpm，另外還要緩慢減小上轉至1±0.5rpm；為了防止高壓電離，在氬氣保護氣氛中充入一定比例的氮氣，氮氣的摻入比例相對於氬氣的 0.01％-5％； (6)轉肩、保持及夾持器釋放：在擴肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時，擴肩的速度要放慢一些，進行轉肩，直至達到所需直徑，單晶保持，等徑保持直徑在75mm-220mm，單晶生長速度1mm/分-5mm/分，在擴肩過程中，當單晶的肩部單晶夾持器的銷子的距離小於2mm時釋放夾持器，將單晶夾住； (7)收尾、停爐：當單晶拉至尾部，開始進行收尾，收尾到單晶的直徑達到Φ10-80mm，將熔區拉開，這時使下軸繼續向下運動，上軸改向上運動，同時功率保持在40±10％，對晶體進行緩慢降溫。一種直拉單晶生長裝置，屬於半導體生長設備技術領域。它包括液壓伺服系統調節坩堝桿；在加熱控制單元中，三相平衡變壓器、濾波電容器、電抗器和電阻器組合連接而成，與諧波源並聯；它還具有變頻充氣裝置。本發明克服現有的坩堝軸升降驅動裝置不能有效的保證生產操控穩定性及精確度不夠精確不足，克服現有的加熱控制單元不能消除諧波的不足，同時也克服現有的坩堝軸升降驅動裝置不能有效的保證生產操控穩定性及精確度不夠精確不足。1、 目的
為正確、規范地操作單晶爐，確保生產作業正常，特製訂本規范。
2、 適用范圍
適用於TDR-70A/B和JRDL-800型單晶爐的操作。
3、 單晶爐操作工藝流程
作業准備→熱態檢漏→取單晶和籽晶→石墨件取出冷卻→真空過濾器清洗→真空泵油檢查更換→石墨件清洗→單晶爐室清洗→石墨件安裝→石英坩堝安裝→硅料安裝→籽晶安裝→抽空、檢漏→充氬氣、升功率、熔料→引晶、縮頸、放肩、轉肩→等徑生長→收尾→降功率、停爐冷卻
4、 主要內容
A. 作業准備
a. 進入單晶車間須穿戴好潔凈工作服、鞋。
b. 開爐前，按工藝要求檢查水、電、氣，確認無誤後方能開爐。
c. 准備好一次性潔凈手套、耐高溫手套、毛巾、紙巾、研磨布、酒精、吸塵刷、吸塵管、防塵口罩。
d. 准備好鉗子、扳手和各類裝拆爐專用工具。
e. 取單晶的架子、裝石墨件的不銹鋼小車、裝堝底料的不銹鋼筒和裝硅料的不銹鋼小車，並處理干凈。
f. 用毛巾將爐體從上到下一遍，擦洗時注意不要將所有控制接線及開關碰斷或碰壞，並把爐子周圍清掃干凈。
B. 熱態檢漏
a. 檢查上一爐功率關閉時間，在單晶冷卻4.0小時（TDR-70A/B型單晶爐）、5.0小時（JRDL-800型單晶爐）後，關閉氬氣（只關閉氬氣閥門，主、付室流量計調節閥打開並分別調節到30L/Min），開始抽高真空，並作時間記錄。
b. 待爐內壓力到達極限（要求達到3Pa以下）後，先關閉主室球閥而後關閉真空泵電源進行檢漏，並作相應時間記錄，若0.5小時內抽不到3Pa以下時，交有關維修人員處理，在此期間須配合有關維修人員進行裝拆爐，並作相關記錄。
c. 檢漏要求3分鍾以上，漏氣率<0.34Pa/min為正常，同時作好漏氣率記錄，若漏氣率＞0.34Pa/min時，交有關維修人員處理，在此期間須配合有關維修人員進行裝拆爐，並作相關記錄。
C. 取單晶和籽晶
a. 熱態檢漏後，旋松付室小門4個螺絲，打開氬氣閥門充氬氣至常壓，關閉氬氣，旋開付室小門4個螺絲，打開付室小門。
b. 提升單晶至付室，從付室小門內確認單晶升至所需高度，若無異常，蓋住翻板閥，打開液壓泵，升起付室。
c. 把安全接盤移到爐筒口處，緩慢轉動付室至側面。
d. 把取單晶的架子放在付室爐筒正下方，准備接單晶。
e. 穩定單晶，移開安全接盤，按下籽晶快降，將單晶降入架子內。
f. 確認單晶完全入架子內後，按住籽晶，用鉗子將籽晶從細徑處鉗斷，鉗斷籽晶後，應穩定重錘，防止重錘快速轉動，損壞鋼絲繩。
g. 將籽晶從重錘上取下，放在指定場所，再將重錘升至付室內適當位置。
h. 將單晶移到中轉區，及時、准確的將單晶編號寫在單晶上，待自然冷卻後對單晶進行各項參數檢測並作好記錄。
D. 石墨件取出冷卻
a. 石墨小件取出
1) 打開液壓泵電源，按爐蓋升按鈕上升爐蓋。爐蓋上升到位後，再旋轉爐蓋到側面。
2) 戴好耐高溫手套按順序取出導流筒及保溫蓋放在裝石墨件的不銹鋼小車上，注意要拿穩並輕放。
3) 戴好耐高溫手套用鉗子夾住石英坩堝的上端部分提起，使其松動，將石英坩堝取出。若石英坩堝能將堝底料全部帶出直接放入不銹鋼筒；若不能則將先取出石英坩堝，剩下的堝底料隨三瓣堝一並取出後，再將堝底料放入不銹鋼筒內。若出現悶爐等意外情況則用鉗子像裝料一樣一塊塊取出，直至徹底取出。最後將不銹鋼筒移到指定地方，並寫上單晶編號，自然冷卻。冷卻後對堝底料進行重量檢測並作好記錄。
4) 戴好耐高溫手套依次取出三瓣堝、堝底放在裝石墨件的不銹鋼小車上，錯誤！鏈接無效。放上後要注意放穩當。
5) 用堝桿板手從堝桿中央孔的位置擰下不銹鋼螺絲，取出堝桿板手，再將堝桿連不銹鋼螺絲放在不銹鋼小車上，注意堆放穩當。
6) 取出的石墨件一並放在不銹鋼小車上，在不銹鋼小車邊掛上石墨件所屬爐號牌，移到指定的位置，自然冷卻，移動過程中注意石墨件放置，防止墜落。
b. 石墨大件的取出（一般5爐做一次，須作好大清記錄）
1) 取出上保溫罩放在不銹鋼小車上。
2) 取下熱電錐，將其及對應的密封及玻璃放到適當的位置以放損壞丟失。
3) 打開油泵開關，按住爐筒升按紐，升起爐筒至限位，旋轉爐筒，並降至適當位置。
4) 取出中保溫罩放在不銹鋼小車上。
5) 先取下加熱器螺絲蓋，再用專用工具取下加熱器螺絲後，取下加熱器螺絲和加熱器放在不銹鋼小車上。
6) 依次取出電極護套、電極石英環、堝桿護套、爐底上壓片、爐底上壓片下小石墨碳氈、排氣套管、下保溫罩、爐底壓片、爐底碳氈、石墨電極等放在不銹鋼小車上。在不銹鋼小車邊掛上石墨件爐號牌，移到指定的位置，自然冷卻，移動過程中注意石墨件放置，防止墜落。
E. 真空過濾器清洗
a. 准備好吸塵刷、吸塵管、酒精、紙巾、扳手，帶好手套、防塵口罩。
b. 用扳手打開真空過濾器蓋螺絲，取出過濾網。
c. 用吸塵刷仔細清洗過濾網及過濾器內的揮發物。
d. 將清洗後的過濾網緩慢放進過濾器內。
e. 用吸塵刷清洗過濾器蓋，用沾酒精的紙巾擦凈密封圈，並檢查密封圈是否完全就位，防止出現脫落或出槽影響抽空。
f. 蓋好過濾器蓋並用扳手上好過濾器蓋螺絲。
F. 真空泵油檢查更換
a. 確認關閉主泵球閥和真空泵，在放油單晶爐上掛檢修牌，將廢油桶置於真空泵放油口下方，打開上下腔放油開關，放完油後關閉上下腔放油閥，廢油倒入指定油桶。
b. 清洗真空泵（每5爐清洗一次），用扳手打開真空泵側蓋，置於適當位置，用毛巾徹底清理真空泵腔、側蓋和下腔濾油網的油污，清洗完畢後，安裝好濾網，安裝好側蓋。側蓋在打開、安裝時小心操作，防止損壞側蓋及油封而漏油。泵腔內禁止遺留紙屑或其它異物，不然會造成油路的堵塞導致真空泵卡死。清理真空泵的廢棄物放入指定垃圾桶。
c. 打開真空泵注油口，將真空泵油注入真空泵注油孔，觀察真空泵油位至油位觀察窗1/2位置，停止注油，打開泵側的油路管道閥門向下腔放油，關閉油口。
d. 啟動真空泵工作5min後關閉泵側的油路管道閥門，察看油位是否處於油位觀察窗1/3----1/2位置，關閉真空泵，在放油單晶爐上移去檢修牌。若低於下限重復c、d操作。
G. 石墨件清洗
a. 石墨件清洗
1) 石墨件必須在指定的清洗室進行清洗，准備好清洗用品(吸塵刷、紙巾、吸塵管、研磨布、除硅粒的專有工具、放石墨件的潔凈小車等)戴好手套、防塵口罩。清洗好清洗台及周圍環境。
2) 依次用吸塵刷清洗各類石墨件直至確認無污物，溝槽及介面等吸附揮發物較多的部位要用研磨布認真打磨後再吸塵清洗。
3) 清洗時注意檢查各石墨件是否有損壞及粘硅，有損壞及粘硅要及時更換和處理。
4) 操作時要輕拿輕放以免造成石墨件的損壞。
5) 清理完畢的石墨件放到事先准備好的潔凈不銹鋼小車上。禁止疊加，移動不銹鋼小車要穩當。
6) 清洗後垃圾放入垃圾指定處，清洗好清洗台及周圍環境。
b. 石墨大件爐內清洗（適用於每爐小清，石墨大件未取出時在爐內清洗）。
1) 用吸塵刷吸凈爐筒、保溫罩和加熱器上沿拆爐時掉落的殘渣。
2) 用吸塵刷仔細用力清洗保溫罩，加熱器所能觸及到的部位。
3) 取出加熱器螺絲蓋，檢查電極螺絲是否松動、膠落或粘硅。有松動須擰緊，有膠落或粘硅須更換。再蓋好加熱器螺絲蓋。
4) 如果在拆爐時不小心引起熱場移動或轉動一定要檢查熱場是否對稱，測溫孔要重新校正。如果側溫孔有偏離會影響測光信號，導致歐陸表數值過小，無法對爐內溫度進行自動控制無法成晶。
5) 用吸塵刷吸凈爐底上壓片、爐底波紋管、排氣孔內的附塵及殘渣。
6) 用帶有酒精的紙巾清理爐壁上部。
H. 單晶爐室清洗
a. 付室的清洗安裝
1) 准備好清洗棒、紙巾、酒精。
2) 在清洗棒上纏上沾有酒精的紙巾，清洗付室內部至上部，直至確認無污物。
3) 快速降下籽晶夾頭，用沾有酒精的紙巾認真擦洗重錘及鉬夾頭。需要時要將重錘摘下用研磨布認真打磨，並清洗干凈。摘下重錘時要慎重作業，防止鋼絲繩上彈造成鋼絲繩出槽。清洗鋼絲繩時要檢查其接頭部位是否老化或損壞，若有應截去一截鋼絲繩，防止在拉晶過程中單晶掉下。清洗好上升重錘到一定位置，升重錘時，不要使重錘晃動，防止重錘掛住付室下沿，拉斷鋼絲繩。
b. 小付室的清洗
1) 打開付室小門，用沾有酒精的紙巾擦洗小付室內的附著物。揮發物附著較多時，先用吸塵刷處理。
2) 用沾有酒精的紙巾認真擦洗付室抽氣口、其它小孔及翻板閥四周及轉軸。翻板閥的溝槽部位及焊縫處先用紙巾捲成利於操作的形狀再認真擦洗。
3) 清洗過的小付室將翻板閥蓋住閥口，並關閉付室小門。
4) 用潔凈的紙巾將小付室上口蓋住。
c. 爐蓋清洗
1) 先用紙巾擦洗內壁(氧化物過多先用吸塵刷清理)。
2) 小孔部位、觀察窗部位、伊爾根部位、閥口部位等各處的介面及焊介面等不易清洗的部位要用沾有酒精的紙巾認真擦洗，直至確認無污物。
3) 硅粉強力附著時或爐蓋局部發黑、發白時要用研磨布認真研磨直至爐蓋整個內壁出現光亮無污物。
4) 觀察窗、伊爾根窗口要認真清理，所有小孔的位置要把紙巾捲成卷以便伸進氣孔內部更容易清理直至沒有污物。
d. 爐筒清洗
1) 先用紙巾擦洗內壁(氧化物過多先用吸塵刷清理)。
2) 取光孔部位要用沾有酒精的紙巾認真擦洗，直至確認無污染。
3) 硅粉強力附著時或爐筒局部發黑、發白時要用研磨布認真研磨直至爐筒整個內壁出現光亮無污物。
e. 抽氣管道清洗。
1) 用扳手打開抽氣管道上的封蓋螺絲，取下封蓋和密封圈。
2) 用一頭纏鋼絲球的長棒伸入管道抽動，另一頭用吸塵刷吸除抽氣管道內的揮發物。
3) 用沾有酒精的紙巾認真擦洗封蓋和密封圈，再安裝好。
I. 石墨件安裝
a. 清洗後的石墨大件安裝（一般5爐做一次）。
1) 清理完畢的石墨大件不銹鋼小車移到單晶爐旁邊，移動過程要穩當。
2) 依次裝好石墨電極、爐底碳氈、爐底壓片、下保溫罩，兩側排氣管、爐底上壓片下小石墨碳氈，爐底上壓片、堝桿護套、電極護套、石英電極環。安裝電極時檢查接觸面是否平整，上下接觸面要放一層石墨紙，防止熱場打火。
3) 將清洗後的加熱器裝好，擰上石墨螺絲，要擰緊，不然要引起熱場打火，並蓋上石墨螺絲蓋。
4) 將清洗後的中保溫罩裝好，卡口接到位。並校正與加熱器的間距，要均勻一致，否則需調整好。
5) 爐筒復位，打開液壓泵，升起爐筒至上限，用沾有酒精的紙巾擦洗下爐筒上部的結合部和爐筒下部的結合部，同時轉動爐筒到適當位置。
6) 按爐筒降，爐筒降到位後，校對測溫孔，防止測光信號過小無法溫度自控。
7) 安裝熱電錐，將其及對應的密封及玻璃按原次序裝好。
8) 將清洗後的上保溫罩裝好，並卡口接到位。
b. 清洗後石墨小件安裝。
1) 用專用工具裝好堝桿。一定要擰緊堝桿螺絲，防止因松動造成液面晃動
2) 依次裝好堝底、三瓣堝。安裝時要確認堝桿、堝底、三瓣堝是否吻合，要認真、細心，防止碰壞保溫材料或加熱器。
3) 裝好後要打開堝轉旋轉一下，以檢驗三瓣堝與加熱器間距上否一致。若不一致，需及時調整。
J. 石英坩堝安裝
a. 爐筒、爐蓋的外側及周遍，用沾有酒精的紙巾擦洗平干凈，爐體周圍地面認真打掃。
b. 從指定的場所將指定石英坩堝取來。帶好防塵口罩、裝料用的潔凈手套。
c. 檢查石英坩堝包裝上標識與配料單上否一致，打開石英坩堝包裝，對光確認有無裂紋、污物、氣泡。若有異常及時處理並報告班長或主任。
d. 在爐內的石墨三瓣堝內裝好石英坩堝，注意四周間隙一致。
e. 在操作記錄上記好所用石英坩堝編號，生產廠家，同時保管好石英坩堝標簽號，放入指定地方。
K. 硅料安裝
a. 取來裝料不銹鋼車和硅料，仔細核對配料單的各項內容是否與單晶爐號、配料實物一致，若有異常及時處理並報告班長或主任。
b. 更換裝料用的手套，如有母合金先放入石英坩堝。再將碎料、小料平鋪在堝底。
c. 將大塊料放置中央，用中型料放於大料四周上方左右予以固定，間隙中放入小硅料。裝料時要慎重作業，輕拿輕放，防止碰撞石英坩堝，不要使料掉在保溫罩的縫隙，以免造成打火。
d. 裝料時注意不要使料探出石英坩堝，否則會在熔料過程中引起硅液流下，損壞石墨件，甚至燜爐。
e. 裝料完成後打開堝轉旋轉一下，確認四周間隙一致，再快速將堝降至下限。停止旋轉。
f. 堝上部、加熱器上部、保溫罩上部再用干凈吸塵刷吸凈浮塵及硅渣。
g. 依次裝好保溫蓋、導流筒。安裝保溫罩、導流時要相互吻合，安裝導流筒時要慎重作業，如果與硅料發生接觸時要調整硅料的擺放，防止在化料過程中發生沾硅。
L. 籽晶安裝
a. 用沾有酒精的紙巾擦洗爐蓋和爐筒接合部的密封圈，再將爐蓋旋轉至爐筒上部。
b. 打開液壓泵電源，按爐蓋降按鈕降下爐蓋。爐蓋降到位後確認爐蓋是否合好，防止漏氣。
c. 用沾有酒精的紙巾擦洗付室下部的接合部和爐蓋上部的接合部，轉動付室，降下與爐蓋合爐。要緩慢轉動付室，防止重錘與付室內壁碰撞。
d. 從指定的場所將腐蝕好的籽晶取來，用沾有酒精的紙巾認真擦洗籽晶。注意不要直接用手接觸籽晶，防止汗漬污染籽晶。
e. 下降籽晶夾頭到一定位置，從付室小門中把籽晶裝在夾頭上，裝好鉬銷。用力向下拉一下籽晶使其牢固，穩定好籽晶後按晶快升使其上升至適當位置。
f. 用沾有酒精的紙巾擦洗付室小門的密封圈和接合部，關閉付室小門，擰上付室小門螺絲，打開翻板閥。
M. 抽空、檢漏
a. 打開真空泵電源。
b. 緩慢打開主室球閥。
c. 抽空後爐內壓力達到<20Pa 時，進行反復充氬氣使爐內壓力<5Pa。
d. 待爐內壓力<5Pa後，關閉主室球閥而後關閉真空泵電源之後進行測漏，要求爐子漏氣速率<0.67Pa/min，檢漏時間3分鍾。檢漏合格進入加熱熔料工序。
e. 若爐子漏氣速率>0.67Pa/min，則需重復a、b、c、d步進行抽空檢漏，若仍不合格報告維修人員處理。並進行相應記錄。
N. 充氬氣、升功率、熔料
a. 抽空檢漏合格後，再打開真空泵電源。
b. 緩慢打開球閥。
c. 打開氬氣充氣系統，調節付室氬氣流量在20~30L/Min，使爐內壓力穩定在1000~1500Pa。
d. 打開加熱開關。
e. 根據下表通過歐陸表分步增加功率。每次加溫均作相應記錄。對歐陸表的使用應小心操作，防止功率迅速增大，瞬時造成變壓器負荷過大，或對整個加熱迴路造成瞬間電流過大而打火或損壞。應嚴格按照加熱順序進行加熱，否則可能會溫度突然上升造成石英坩堝破裂、漏硅。
時間 功率
0min 50KW
30min 70KW
60min <100KW
f. 熔料過程中時刻注意觀察爐內的情況,若無異常塌料後給定堝轉2r/min，上升適當堝位。並進行相應記錄。升堝時注意不要使硅液面觸到導流筒下沿。升完堝後通過對堝位標尺的確認堝無動作，方可完成，否則會使導流筒粘硅，發生跳硅。
g. 料熔完時，降低加熱功率至引晶溫度(與上爐對應)。給定堝轉到5~7r/min，並進行相應記錄。
h. 歐陸表值降至引晶溫度對應的數值時切入自動，將堝升至引晶堝位穩定即導流筒至液面距離為15mm左右。引晶堝位也可在上爐裝料基礎上根據投料量增加/減少量，來確定本次引晶堝位，具體可參照附錄A引晶位置變化參考表。並進行相應記錄。
O. 引晶、縮頸、放肩、轉肩
a. 測電阻率取樣
1) 溫度切入自動後，按籽晶快降，將籽晶降至從主觀察窗剛能看到的位置，並打開晶轉電源，給定晶轉10~12r/min。
2) 20分鍾後，降籽晶使之與液面接觸，通過歐陸表調整溫度開始放肩。
3) 將肩放至直徑50~60mm提離液面上升到至付室，打開付室氬氣後蓋住翻板閥，打開主爐室氬氣，調節流量到爐壓和原來一致。
4) 增大付室氬氣流量。擰松付室小門螺絲，等付爐室爐壓表指示到0時，打開付室小門，關閉氬氣。
5) 緩慢調節晶轉為0 r/min，關晶轉。
6) 用鉗子取出籽晶下放肩部位，取籽晶時要慎重作業，不可用手直接接觸籽晶，防止燙傷。等冷卻後去測電阻率。
7) 等籽晶冷卻後用紙巾擦洗干凈，關閉付室小門。
b. 付泵抽空作業
1) 合好付室爐筒或關閉付室小門後打開付泵電源。
2) 慢慢打開後面的付室抽氣球閥，直至全開。
3) 付室壓力表抽至－0.05～-0.1Mpa時打開付室氬氣閥，同時關閉付泵球閥。
4) 付室壓力表充至0～-0.05Mpa時關閉付室氬氣閥，同時打開付泵球閥。
5) 步驟3和步驟4反復操作三次.
6) 最後根據壓力表指針確認付室與主室氣壓達到一致，關閉付室球閥，然後關閉付泵電源。
7) 緩慢打開翻板閥。打開翻板閥時要緩慢操作，防止損壞或擠出閥口密封圈。
8) 打開付室氬氣閥至正常流量，關閉主室氬氣閥。
c. 補摻母合金
1) 若電阻率測試結果在目標范圍時，可進行下一步預熱接觸引晶；若有偏離，須補摻母合金，由組長根據電阻率測試結果和投料量計算出補摻母合金的類型和數量，並去取出稱量，進行補摻，作好相應記錄。
2) 補摻過程同a測電阻率取樣一樣，只是放肩放到100~150mm，盡量放平肩。
3) 打開付爐室門後，不取下籽晶，而將已稱量的母合金放在平肩上。放母合金時要慎重作業，不可用手直接接觸籽晶，防止燙傷。
4) 再按b付泵抽空作業後，適當調節熔硅溫度，把籽晶和母合金降到液面中，使其熔化摻入。
5) 再重復a測電阻率取樣，b付泵抽空作業， c補摻母合金，直到電阻率測試合格進入下一工序。
d. 預熱接觸
1) 電阻率合格後按籽晶快降，將籽晶降至從主觀察窗剛能看到的位置，並打開晶轉電源，給定晶轉10~12r/min。
2) 20分鍾後，按籽晶快降按鈕將籽晶降至距硅液面10mm處預熱20分鍾。作好相應記錄。必須預熱，不然會由於籽晶由低溫區到高溫區、由固定到液態轉變時，溫差太大造成籽晶產生位錯。
3) 籽晶快速上升或下降的位置必須給予確定，升降操作方可完成，否則會溶掉籽晶甚至重錘，升至上限時會導致重錘掉下進入溶硅內，造成漏硅或整爐料徹底報廢，無法再次利用。
4) 降籽晶使之與硅液面接觸，浸潤20分鍾，熔去籽晶較細的部分，根據接觸光圈的形狀，確定引晶溫度是否合適，若合適開始引晶；若不合適，通過歐陸表調整溫度20分鍾後開始引晶，溫度不宜偏低。